收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF11881105《用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法》。
本标准与SEMIMF11881105相比,主要有如下不同:
---增加了测量点选取方案;
---标准编写按GB/T1.1格式,部分SEMI标准中的章节进行了合并和整理。
本标准代替GB/T14144-1993《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》。
本标准与原标准相比,主要有如下变化:
---氧含量测量范围进行了修订;
---增加了测量仪器、术语和干扰因素章节;
---增加了采用经认证的硅中氧含量标准物质对光谱仪进行校准的内容;
---将原标准中本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的硅晶体改为本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶;
---样品厚度范围修改为0.04cm~0.4cm。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:杨旭、江莉。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T14144-1993。
-
适用范围：
本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
GB/T 12964-1996
硅单晶抛光片
-
GB/T 41652-2022
刻蚀机用硅电极及硅环
-
GB/T 16596-2019
确定晶片坐标系规范
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
YS/T 543-2015
半导体键合用铝-1%硅细丝
-
GB/T 20230-2006
磷化铟单晶
-
GB/T 29850-2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
-
GB/T 32651-2016
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
打开设置，点击
执行注册
