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GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF11881105《用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法》。
本标准与SEMIMF11881105相比,主要有如下不同:
---增加了测量点选取方案;
---标准编写按GB/T1.1格式,部分SEMI标准中的章节进行了合并和整理。
本标准代替GB/T14144-1993《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》。
本标准与原标准相比,主要有如下变化:
---氧含量测量范围进行了修订;
---增加了测量仪器、术语和干扰因素章节;
---增加了采用经认证的硅中氧含量标准物质对光谱仪进行校准的内容;
---将原标准中本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的硅晶体改为本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶;
---样品厚度范围修改为0.04cm~0.4cm。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:杨旭、江莉。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T14144-1993。
-
适用范围：
本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
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引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
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