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GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
基本信息
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标准号：
GB/T 24581-2009
-
名称：
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
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英文名称：
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
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状态：
现行
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类型：
国家标准
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性质：
推荐性
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发布日期：
2009-10-30
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实施日期：
2010-06-01
-
废止日期：
暂无
-
相关公告：
实施公告【】
修订公告【关于批准发布《高标准农田建设 通则》等357项推荐性国家标准和4项国家标准修改单的公告】
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分类信息
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ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准等同采用SEMIMF16300704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法》。
本标准与SEMIMF16300704相比,主要有如下变化:
---用实际测量到的红外谱图代替SEMIMF16300704标准中的图2、图3。
---用实验得到的单一实验室测试精密度代替SEMIMF16300704中给出的单一实验室测试精密度。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司。
本标准主要起草人:梁洪、过惠芬、吴道荣。
-
适用范围：
2.1 本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。
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引用标准：
暂无
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