收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
基本信息
-
标准号:
GB/T 32651-2016
-
名称:
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
英文名称:
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
-
状态:
现行
-
类型:
国家标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2016-04-25
-
实施日期:
2016-11-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【关于批准发布《团体标准化 第1部分:良好行为指南》等203项国家标准的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
-
引用标准:
GB/T 4842
GB/T 6682-2008
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
GB/T 13387-2009
硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 5238-2019
锗单晶和锗单晶片
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
YS/T 557-2006
压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 29055-2012
太阳电池用多晶硅片
-
YS/T 679-2008
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 16595-2019
晶片通用网格规范
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 31854-2015
光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
YS/T 224-1994
铊