收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
基本信息
-
标准号：
GB/T 32651-2016
-
名称：
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
英文名称：
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
-
状态：
现行
-
类型：
国家标准
-
性质：
推荐性
-
发布日期：
2016-04-25
-
实施日期：
2016-11-01
-
废止日期：
暂无
-
相关公告：
实施公告【关于批准发布《团体标准化 第1部分：良好行为指南》等203项国家标准的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
-
引用标准：
GB/T 4842
GB/T 6682-2008
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
-
GB/T 29852-2013
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 12963-2014
电子级多晶硅
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
GB/T 8750-1997
半导体器件键合金丝
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
GB/T 6621-2009
硅片表面平整度测试方法
-
YS/T 1510-2021
高纯锗粉
-
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
打开设置，点击
执行注册
