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GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 32651-2016
  • 名称：
    采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
  • 英文名称：
    Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2016-04-25
  • 实施日期：
    2016-11-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《团体标准化 第1部分：良好行为指南》等203项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电气工程（29） 半导体材料（29.045） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84） 元素半导体材料（H82） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（Zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（Al）、砷（As）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、锰（Mn）、钴（Co）、镓（Ga）等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 4842 GB/T 6682-2008
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 江苏中能硅业科技发展有限公司 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 国家硅材料深加工产品质量监督检验中心 国家太阳能光伏产品质量监督检验中心(无锡市产品质量监督检验中心)
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
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