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GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
基本信息
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标准号:
GB/T 32651-2016
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名称:
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
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英文名称:
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
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状态:
现行
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类型:
国家标准
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性质:
推荐性
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发布日期:
2016-04-25
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实施日期:
2016-11-01
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废止日期:
暂无
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相关公告:
实施公告【关于批准发布《团体标准化 第1部分:良好行为指南》等203项国家标准的公告】
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分类信息
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ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
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CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
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引用标准:
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GB/T 6682-2008
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