收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片
Polished mono-crystalline sapphire substrate product
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准主要起草单位:协鑫光电科技控股有限公司、中国科学院上海光机所、浙江昀丰新能源科技有限公司、浙江上城科技有限公司、江苏吉星新材料有限公司。
本标准主要起草人:魏明德、黄朝晖、刘逸枫、杭寅、徐永亮、袁忠纯、蔡金荣。
-
适用范围：
本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1031 产品几何技术规范(GPS)表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T30857 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 31475-2015
电子装联高质量内部互连用焊锡膏
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
YS/T 224-1994
铊
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
GB/T 14264-2009
半导体材料术语
-
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
YS/T 543-2006
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
-
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
-
YS/T 724-2009
硅粉
打开设置，点击
执行注册
