收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T4058-1995《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》。
本标准与GB/T4058-1995相比,主要有如下变化:
---范围中增加了硅单晶氧化诱生缺陷的检验;
---增加了引用标准;
---增加了术语和定义章;
---将原标准中表1 四种常用化学抛光液配方删除,在第5章中对化学抛光液配比进行了修改,删除了乙酸配方;增加了铬酸溶液A 的配制、Sirtl腐蚀液及Wright腐蚀液的配制;增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表;
---采用氧化程序替代原标准中的氧化的操作步骤;增加了(111)面缺陷的显示方法及Wright腐蚀液的腐蚀时间,将(111)面和(100)面缺陷显示方法区分开了;(100)面缺陷的显示增加了Wright腐蚀液腐蚀方法;
---在缺陷观测的测点选取中增加了米字型测量方法。
本标准的附录A 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB4058-1983、GB/T4058-1995;
---GB6622-1986、GB6623-1986。
-
适用范围：
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T14264 半导体材料术语
YS/T209 硅材料原生缺陷图谱
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
GB/T 16595-1996
晶片通用网格规范
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
YS/T 977-2014
单晶炉碳/碳复合材料保温筒
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
-
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
-
GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
GB/T 12963-1996
硅多晶
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
打开设置，点击
执行注册
