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GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T4058-1995《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》。
本标准与GB/T4058-1995相比,主要有如下变化:
---范围中增加了硅单晶氧化诱生缺陷的检验;
---增加了引用标准;
---增加了术语和定义章;
---将原标准中表1 四种常用化学抛光液配方删除,在第5章中对化学抛光液配比进行了修改,删除了乙酸配方;增加了铬酸溶液A 的配制、Sirtl腐蚀液及Wright腐蚀液的配制;增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表;
---采用氧化程序替代原标准中的氧化的操作步骤;增加了(111)面缺陷的显示方法及Wright腐蚀液的腐蚀时间,将(111)面和(100)面缺陷显示方法区分开了;(100)面缺陷的显示增加了Wright腐蚀液腐蚀方法;
---在缺陷观测的测点选取中增加了米字型测量方法。
本标准的附录A 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB4058-1983、GB/T4058-1995;
---GB6622-1986、GB6623-1986。
-
适用范围：
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
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