收藏到云盘
纠错反馈
SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
基本信息
-
标准号:
SJ/T 11491-2015
-
名称:
短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
英文名称:
暂无
-
状态:
现行
-
类型:
行业标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2015-04-30
-
实施日期:
2015-10-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【2015年第7号(总第187号)】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
SJ/T 3328.7-2016
电子产品用高纯石英砂 第7部分 铬的测定
-
SJ/T 10658-1995
通用型应用电视设备环境要求及试验方法
-
SJ/T 10264-1991
半导体集成电路CD3161CS双前置放大器详细规范
-
SJ/T 10676-1995
电子工业用氧化钴粉
-
SJ/T 10057-1991
2CZ60型硅整流二级管详细规范
-
SJ/T 11405-2009
光纤系统用半导体光电子器件 第2部分:测量方法
-
SJ/T 11645-2016
裸眼立体电视通用技术要求
-
SJ/T 10629.1-1995
计算机辅助设计设计文件管理制度基本要求
-
SJ 20858-2002
碳化硅单晶材料电学参数测试方法
-
SJ/T 10512-1994
CCW5管形瓷介预调可变电容器详细规范
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
SJ/T 10328-1992
VHS盒式录像磁带通用技术条件
-
SJ/T 10174-1991
A1.5稳态太阳模拟器
-
SJ/T 10166-1991
电子设备密封结构技术条件
-
SJ/T 2658.3-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
-
SJ/T 11320-2006
电子信息产品交易市场资质规范
-
SJ/T 10073-1991
半导体集成电路CW7915型三端负稳压器(可供认证用)
-
SJ/T 10423-1993
声级计通用技术条件
-
SJ/T 10409-1993
黑白显像管玻壳空白详细规范
-
SJ/T 10255-1991
半导体集成电路CW1403型精密带隙电压基准详细规范