收藏到云盘
纠错反馈

GB/T 26069-2010 硅退火片规范

Specification for silicon annealed wafers
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 26069-2010
  • 名称:
    硅退火片规范
  • 英文名称:
    Specification for silicon annealed wafers
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2011-01-10
  • 实施日期:
    2011-10-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《紧固件 质量保证体系》等410项国家标准的公告】
    修订公告【关于批准发布《高标准农田建设 通则》等357项推荐性国家标准和4项国家标准修改单的公告】
    • 阅读或下载 使用APP、PC客户端等功能更强大
    • 网页在线阅读 体验阅读、搜索等基本功能
    • 用户分享资源 来自网友们上传分享的文件
    • 纸书购买 平台官方及网友推荐
分类信息
  • ICS分类:
    电气工程(29) 半导体材料(29.045)
  • CCS分类:
    冶金(H) 半金属与半导体材料(H80/84) 半金属与半导体材料综合(H80)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)负责归口。
    本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草。
    本标准主要起草人:楼春兰、孙燕、朱兴萍、宫龙飞、王飞尧、黄笑容、方强、汪成生、程国庆。
  • 适用范围:
    本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。
    本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。
  • 引用标准:
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
    GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
    GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
    GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
    GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
    GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
    GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
    GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
    GB/T6621 硅抛光片表面平整度测试方法
    GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
    GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
    GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
    GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
    GB/T14140 硅片直径测量方法
    GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
    GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
    YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法
相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 1550 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1557 GB/T 2828.1 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 GB/T 11073 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14144 GB/T 14264 GB/T 19921 GB/T 24578 YS/T 26
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 主管部门:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位:
    杭州海纳半导体有限公司 万向硅峰电子股份有限公司 宁波立立电子股份有限公司 有研半导体材料股份公司
相关人员
暂无
关联标准
  • GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
  • GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
  • SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
  • GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
  • SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南
  • GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片
  • GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范
  • YS/T 985-2014 硅抛光回收片
  • GB/T 31474-2015 电子装联高质量内部互连用助焊剂
  • GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
  • SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
  • GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
  • GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
  • GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅
  • T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
  • GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
  • GB/T 8756-2018 锗晶体缺陷图谱
  • GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
  • GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
  • YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法
用户分享资源

GB/T 26069-2010 硅退火片规范

Specification for silicon annealed wafer...
上传文件
注:本列表内文件主要来源于网友们的分享上传。如您发现有不正确不合适的内容,请及时联系客服
纠错反馈
GB/T 26069-2010 硅退火片规范
提交反馈
分类列表
确定
上传文件
完全匿名 前台匿名 显示用户名 点击选择文件
{{uploadFile.name}} {{uploadFile.sizeStr}}
目前支持上传小于100MB的PDF、OCF、OCS格式文件
注:您上传文件即代表同意平台可以公开给所有用户下载。平台会根据您的选择及实际情况,为您发放相应的直接或分成奖励。平台也可以根据实际情况需要,对您上传到服务器的文件进行调整隐藏删除等,而无需通知到您。
联系客服

纸书购买链接招商中,联系客服入驻

客服QQ: 2449276725 1455033258

1098903864 1969329120

客服电话:0379-80883238

电子邮箱:ocsyun@126.com