收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 26069-2010 硅退火片规范
Specification for silicon annealed wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)负责归口。
本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草。
本标准主要起草人:楼春兰、孙燕、朱兴萍、宫龙飞、王飞尧、黄笑容、方强、汪成生、程国庆。
-
适用范围：
本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。
本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6621 硅抛光片表面平整度测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
杭州海纳半导体有限公司
万向硅峰电子股份有限公司
宁波立立电子股份有限公司
有研半导体材料股份公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 31092-2014
蓝宝石单晶晶锭
-
YS/T 978-2014
单晶炉碳/碳复合材料导流筒
-
GB/T 5238-2019
锗单晶和锗单晶片
-
GB/T 25076-2018
太阳能电池用硅单晶
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
YS/T 979-2014
高纯三氧化二镓
-
GB/T 30858-2014
蓝宝石单晶衬底抛光片
-
GB/T 2881-2014e
工业硅
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
GB/T 25075-2010
太阳能电池用砷化镓单晶
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
打开设置，点击
执行注册
