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GB/T 26069-2010 硅退火片规范

Specification for silicon annealed wafers
基本信息
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)负责归口。
    本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草。
    本标准主要起草人:楼春兰、孙燕、朱兴萍、宫龙飞、王飞尧、黄笑容、方强、汪成生、程国庆。
  • 适用范围：
    本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。
    本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
    GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
    GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
    GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
    GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
    GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
    GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
    GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
    GB/T6621 硅抛光片表面平整度测试方法
    GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
    GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
    GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
    GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
    GB/T14140 硅片直径测量方法
    GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
    GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
    YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 1550 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1557 GB/T 2828.1 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 GB/T 11073 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14144 GB/T 14264 GB/T 19921 GB/T 24578 YS/T 26
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 主管部门：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位：
    杭州海纳半导体有限公司 万向硅峰电子股份有限公司 宁波立立电子股份有限公司 有研半导体材料股份公司
相关人员
暂无
关联标准