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SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

基本信息
  • 标准号:
    SJ/T 11490-2015
  • 名称:
    低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
  • 英文名称:
    暂无
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    行业标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2015-04-30
  • 实施日期:
    2015-10-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【2015年第7号(总第187号)】
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分类信息
  • ICS分类:
    【 电气工程(29) 半导体材料(29.045) 】
  • CCS分类:
    【 冶金(H) 半金属与半导体材料(H80/84) 化合物半导体材料(H83) 】
  • 行标分类:
    【 电子(SJ) 】
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 起草单位:
    工业和信息化部电子工业标准化研究院 信息产业专用材料质量监督检验中心 苏州晶瑞化学有限公司等
相关人员
暂无
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