收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭
Monocrystalline sapphire ingot
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
化合物半导体材料(H83)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:协鑫光电科技(江苏)有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、常州亿晶光电科技有限公司、江苏吉星新材料有限公司、新疆紫晶光电技术有限公司。
本标准主要起草人:刘逸枫、魏明德、徐养毅、杭寅、吴剑波、蔡金荣、赵新俭
-
适用范围:
本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。
本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
DB65/T 3486-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
-
YS/T 43-1992
高纯砷
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
YS/T 1510-2021
高纯锗粉
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 16596-1996
确定晶片坐标系规范
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 2881-2014
工业硅