收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭
Monocrystalline sapphire ingot
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:协鑫光电科技(江苏)有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、常州亿晶光电科技有限公司、江苏吉星新材料有限公司、新疆紫晶光电技术有限公司。
本标准主要起草人:刘逸枫、魏明德、徐养毅、杭寅、吴剑波、蔡金荣、赵新俭
-
适用范围：
本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单（或合同）内容。
本标准适用于蓝宝石单晶晶锭，产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料（以下简称晶锭）。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 14264-2009
半导体材料术语
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
-
DB65/T 3486-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
-
SJ/T 11470-2014
发光二极管外延片
-
GB/T 31475-2015
电子装联高质量内部互连用焊锡膏
-
SJ/T 11471-2014
发光二极管外延片测试方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 11070-2006
还原锗锭
-
GB/T 25076-2010
太阳电池用硅单晶
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
-
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
-
GB/T 35305-2017
太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
-
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
打开设置，点击
执行注册
