收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块
Solar-grade casting multi-crystalline silicon brick
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。
本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、薛抗美、张群社、孙世龙、游达、朱华英、金虹、刘林艳、段育红。
-
适用范围：
本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T14264 半导体材料术语
SEMIPV1-0709 利用高质量分辨率辉光放电质谱测量光伏级硅中微量元素的方法
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
西安隆基硅材料股份有限公司
宁波晶元太阳能有限公司
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 8750-1997
半导体器件键合金丝
-
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
GB/T 14139-2009
硅外延片
-
GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB 12963-1991
硅多晶
-
GB/T 12965-2005
硅单晶切割片和研磨片
-
YS/T 223-1996
硒
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
GB/T 32651-2016
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范
-
YS/T 13-2015
高纯四氯化锗
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
打开设置，点击
执行注册
