收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块
Solar-grade casting multi-crystalline silicon brick
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。
本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、薛抗美、张群社、孙世龙、游达、朱华英、金虹、刘林艳、段育红。
-
适用范围:
本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T14264 半导体材料术语
SEMIPV1-0709 利用高质量分辨率辉光放电质谱测量光伏级硅中微量元素的方法
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位:
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
西安隆基硅材料股份有限公司
宁波晶元太阳能有限公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
YS/T 557-2006
压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
-
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 14140-2009
硅片直径测量方法
-
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
GB/T 20228-2006
砷化镓单晶
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝
-
DB36/ 652-2012
江西省太阳能级多晶硅单位产品能源消耗限额
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
YS/T 224-1994
铊
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片