收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB4061-1983《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。
本标准与原标准相比,主要有如下改动:
---增加了术语、试剂与器材;
---增加了检验报告内容;
---对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:洛阳中硅高科技有限公司。
本标准主要起草人:袁金满。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB4061-1983。
-
适用范围：
本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
-
引用标准：
暂无
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 6621-2009
硅片表面平整度测试方法
-
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
-
YS/T 15-1991
硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
-
SJ/T 11488-2015
半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
-
GB/T 12965-1996
硅单晶切割片和研磨片
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
打开设置，点击
执行注册
