收藏到云盘
纠错反馈
DB65/T 3486-2013 新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
基本信息
-
标准号:
DB65/T 3486-2013
-
名称:
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
-
公告名称:
太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
-
英文名称:
暂无
-
状态:
现行
-
类型:
地方标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2013-10-20
-
实施日期:
2013-12-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【2015年第2号(总第182号)】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
-
YS/T 989-2014
锗粒
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
GB/T 29504-2013
300mm 硅单晶
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 29849-2013
光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 25074-2010
太阳能级多晶硅
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 25076-2018
太阳能电池用硅单晶
-
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
GB/T 2881-2014
工业硅
-
YS/T 1160-2016
工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
GB/T 30854-2014
LED发光用氮化镓基外延片
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
YS/T 986-2014
晶片正面系列字母数字标志规范