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GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片

300mm polished monocrystalline silicon wafers
基本信息
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
    本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
    本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。
  • 适用范围：
    本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
    本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
    GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
    GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
    GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
    GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
    GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
    GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
    GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
    GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
    GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
    GB/T14140 硅片直径测量方法
    GB/T14264 半导体材料术语
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    GB/T29504 300mm 硅单晶
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    YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
    SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 1550 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1557 GB/T 1558 GB/T 2828.1 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6624 GB/T 11073 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 19921 GB/T 19922 GB/T 24578 GB/T 26067 GB/T 29504 GB/T 29507 GB/T 29508 YS/T 26 YS/T 679 SEMI MF 1390
相关部门
  • 起草单位：
    中国有色金属工业标准计量质量研究所 有研半导体材料股份有限公司
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
相关人员
暂无
关联标准