收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片
300mm polished monocrystalline silicon wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。
-
适用范围:
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T19922 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法
GB/T29504 300mm 硅单晶
GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T29508 300mm 硅单晶切割片和磨削片
YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法
YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法
相关标准
相关部门
-
起草单位:
中国有色金属工业标准计量质量研究所
有研半导体材料股份有限公司
-
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
相关人员
关联标准
-
GB 12962-1991
硅单晶
-
YS/T 28-1992
硅片包装
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
GB/T 12963-1996
硅多晶
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 26069-2022
硅单晶退火片
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
YS/T 1160-2016
工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
YS/T 543-2015
半导体键合用铝-1%硅细丝
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
-
GB/T 25074-2010
太阳能级多晶硅
-
YS/T 651-2007
二氧化硒
-
YS/T 977-2014
单晶炉碳/碳复合材料保温筒
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 25075-2010
太阳能电池用砷化镓单晶