GB/T 29506-2013

300mm 硅单晶抛光片

300mm polished monocrystalline silicon wafers

现行

国家标准

推荐性

2013-05-09

2014-02-01

暂无

实施公告【关于批准发布《钼化学分析方法　第1部分：铅量的测定石墨炉原子吸收光谱法》等47项国家标准的公告】

暂无

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。

本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

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中国有色金属工业标准计量质量研究所 有研半导体材料股份有限公司

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

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