收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 36706-2018 磷化铟多晶
Polycrystalline indium phosphide
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
化合物半导体材料(H83)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
GB/T 25074-2017
太阳能级多晶硅
-
GB/T 29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 12964-1996
硅单晶抛光片
-
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 29851-2013
光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
-
GB/T 25075-2010
太阳能电池用砷化镓单晶
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
YS/T 651-2007
二氧化硒
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 41652-2022
刻蚀机用硅电极及硅环
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱