收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 36706-2018 磷化铟多晶
Polycrystalline indium phosphide基本信息
- 标准号:GB/T 36706-2018
- 名称:磷化铟多晶
- 英文名称:Polycrystalline indium phosphide
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2018-09-17
- 实施日期:2019-06-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:本标准规定了磷化铟多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于生产磷化铟单晶用的磷化铟多晶。
- 引用标准:暂无
相关标准
- 引用标准:GB/T 1423 GB/T 4326 GB/T 14844
相关部门
- 归口单位:2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
- 起草单位:有色金属技术经济研究院 广东先导稀材股份有限公司 中国电子科技集团公司第十三研究所 中国科学院半导体研究所 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 南京金美镓业有限公司 石家庄麦特达电子科技有限公司
- 主管部门:国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
关联标准
- GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
- GB/T 31854-2015 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
- GB/T 26069-2022 硅单晶退火片
- SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
- GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 12963-2014 电子级多晶硅
- YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
- GB/T 20229-2006 磷化镓单晶
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南
- GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
- YS/T 28-2015 硅片包装
- GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶
- GB/T 8646-1998 半导体键合铝-1%硅细丝
- GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
- GB/T 12963-1996 硅多晶
- GB/T 20230-2006 磷化铟单晶
- T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法