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GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱
Metallographs collection for original defects of crystalline silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009制定的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容、楼春兰、王飞尧、石宇、刘云霞、陈赫、梁洪、罗莉萍、李咏梅、齐步坤、李慧、向磊。
-
适用范围：
本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。
本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
主管部门：
2)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
南京国盛电子有限公司
陕西天宏硅材料有限责任公司
杭州海纳半导体有限公司
万向硅峰电子股份有限公司
四川新光硅业科技有限责任公司
有研半导体材料股份有限公司
东方电气集团峨眉半导体材料有限公司
相关人员
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