收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
Test methods for determining the orientation ofa semiconductor single crystal
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门：
国家标准化管理委员会
-
归口单位：
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
-
起草单位：
峨嵋半导体材料厂
相关人员
关联标准
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
YB/T 4293-2012
双管直流磁性能测量方法
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
YS/T 1065.3-2015
沸石物理性能测定方法 第3部分：灼烧失量的测定 重量法
-
GB/T 4060-1983
硅多晶真空区熔基硼检验方法
-
GB/T 13012-1991
钢材直流磁性能测量方法
-
GB/T 6147-2005
精密电阻合金热电动势率 测试方法
-
GB/T 11107-2018
金属及其化合物粉末 比表面积和粒度测定 空气透过法
-
GB/T 8753.4-2005
铝及铝合金阳极氧化 氧化膜封孔质量的评定方法 第4部分:酸处理后的染色斑点法
-
YS/T 1065.1-2015
沸石物理性能测定方法 第1部分：钙交换能力的测定 EDTA滴定法
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 2522-2017
电工钢带(片)涂层绝缘电阻和附着性测试方法
-
GB/T 6521-1986
氧化铝粉末安息角的测定
-
GB/T 5249-1985
可渗透性烧结金属材料 气泡试验 孔径的测定
-
GB/T 30653-2014
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 8753.1-2005
铝及铝合金阳极氧化 氧化膜封孔质量的评定方法 第1部分:无硝酸预浸的磷铬酸法
-
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
YS/T 438.5-2001
砂状氧化铝物理性能测定方法 X衍射法测定α-氧化铝含量
打开设置，点击
执行注册
