收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
金属化学分析方法(H10/19)
半金属及半导体材料分析方法(H17)
】、
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司。
本标准主要起草人:杜娟、孙燕、卢立延、楼春兰。
-
适用范围:
1.1 本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。
1.2 本标准中物体平面尺寸为0.1mm时,通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像,通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
1.3 本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
-
引用标准:
GB/T 2828.1
GB/T 14264
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位:
万向硅峰电子股份有限公司
有研半导体材料股份有限公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 11068-2006
砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
-
YS/T 1510-2021
高纯锗粉
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
-
GB/T 14849.1-2020
工业硅化学分析方法 第1部分:铁含量的测定
-
GB/T 2881-2008
工业硅
-
YS/T 226.9-1994
硒中氯量的测定(硫氰酸汞吸光光度法)
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
GB/T 24581-2022
硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
YS/T 1509.1-2021
硅碳复合负极材料化学分析方法 第1部分:硅含量的测定 重量法和分光光度法
-
YS/T 543-2006
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
YS/T 226.15-1994
硒中硒量的测定(硫代硫酸钠容量法)
-
YS/T 226.5-2009
硒化学分析方法 第5部分:硅量的测定 硅钼蓝分光光度法