收藏到云盘
纠错反馈
SJ 20866-2003 交叉辗压钼铼合金片规范
Specification for cross-pressing molybdenum-rhenium alloy pieces基本信息
- 标准号:SJ 20866-2003
- 名称:交叉辗压钼铼合金片规范
- 英文名称:Specification for cross-pressing molybdenum-rhenium alloy pieces
- 状态:现行
- 类型:暂无
- 性质:强制性
- 发布日期:2003-12-25
- 实施日期:2004-03-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:暂无
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:暂无
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:本规范规定了交叉辗压钼铼合金片(以下简称钼铼合金片)的要求、质量保证规定、交货准备等。
本规范适用于制造军用电真空器件中引伸及深冲部件用钼铼合金片。 - 引用标准:GB/T 232-1988 金属弯曲试验方法
GB/T 3076-1982 金属薄板(带)拉伸试验方法
GB/T 4156-1984 金属杯突试验方法
GJB 179A-1996 计数抽样检验程序和表
SJ 20865-2003 钼铼合金分析方法
相关标准
暂无
相关部门
- 归口单位:信息产业部电子第四研究所
- 起草单位:国营第七四五厂
相关人员
- 起草人:范荣奎 侯伍满
关联标准
- GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底
- GB/T 40561-2021 光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
- GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片
- GB/T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片
- YS/T 223-1996 硒
- YS/T 99-1997 三氧化二砷
- SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
- YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片
- DB35/T 1146-2011 福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
- GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
- YS/T 979-2014 高纯三氧化二镓
- GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶
- GB/T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片
- GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅
- GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
- GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 12963-1996 硅多晶
- GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片