收藏到云盘
纠错反馈
YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
暂无
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
-
GB/T 26071-2010
太阳能电池用硅单晶切割片
-
GB/T 12964-2003
硅单晶抛光片
-
YS/T 43-2011
高纯砷
-
GB/T 16596-2019
确定晶片坐标系规范
-
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 12965-2005
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
-
GB/T 25074-2010
太阳能级多晶硅
-
GB/T 31854-2015
光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
GB/T 20228-2006
砷化镓单晶
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
YS 68-2004
砷
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分