• 当前位置：
    首页 规范标准 YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
收藏到云盘
纠错反馈

YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝

Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
基本信息
  • 标准号：
    YS/T 543-2006
  • 名称：
    半导体键合铝-1%硅细丝
  • 英文名称：
    Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
  • 状态：
    被代替
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2006-07-27
  • 实施日期：
    2006-10-11
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    修订公告【2015年第7号(总第187号)】
    • 阅读或下载 使用APP、PC客户端等功能更强大
    • 网页在线阅读 体验阅读、搜索等基本功能
    • 用户分享资源 来自网友们上传分享的文件
    • 纸书购买 平台官方及网友推荐
分类信息
  • ICS分类：
    【 电气工程（29） 半导体材料（29.045） 】
  • CCS分类：
    暂无
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    暂无
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
暂无
相关人员
暂无
关联标准
  • YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法
  • GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
  • GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范
  • GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
  • GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
  • GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱
  • GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
  • GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范
  • GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
  • GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范
  • GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
  • GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
  • DB65/T 3485-2013 新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
  • GB/T 31474-2015 电子装联高质量内部互连用助焊剂
  • GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶
  • GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
  • SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
  • GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
  • GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
用户分享资源

YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝

Fine aluminum-1% silicon wire for semico... 上传文件 注:本列表内文件主要来源于网友们的分享上传。如您发现有不正确不合适的内容，请及时联系客服
纠错反馈
YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
提交反馈
分类列表
确定
上传文件
完全匿名 前台匿名 显示用户名 点击选择文件
{{uploadFile.name}} {{uploadFile.sizeStr}}
目前支持上传小于100MB的PDF、OCF、OCS格式文件
注:您上传文件即代表同意平台可以公开给所有用户下载。平台会根据您的选择及实际情况，为您发放相应的直接或分成奖励。平台也可以根据实际情况需要，对您上传到服务器的文件进行调整隐藏删除等，而无需通知到您。
联系客服

纸书购买链接招商中，联系客服入驻

客服QQ： 2449276725 1455033258

1098903864 1969329120

客服电话：0379-80883238

电子邮箱：ocsyun@126.com