• 当前位置：
    首页 规范标准 YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
收藏到云盘
纠错反馈

YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝

Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
基本信息
  • 标准号：
    YS/T 543-2006
  • 名称：
    半导体键合铝-1%硅细丝
  • 英文名称：
    Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
  • 状态：
    被代替
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2006-07-27
  • 实施日期：
    2006-10-11
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    修订公告【2015年第7号(总第187号)】
    • 阅读或下载 使用APP、PC客户端等功能更强大
    • 网页在线阅读 体验阅读、搜索等基本功能
    • 用户分享资源 来自网友们上传分享的文件
    • 纸书购买 平台官方及网友推荐
分类信息
  • ICS分类：
    【 电气工程（29） 半导体材料（29.045） 】
  • CCS分类：
    暂无
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    暂无
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
暂无
相关人员
暂无
关联标准
  • GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范
  • GB/T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片
  • SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
  • GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶
  • GB/T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片
  • DB65/T 3486-2013 新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
  • SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范
  • GB/T 2881-2014e 工业硅
  • GB/T 12963-2014 电子级多晶硅
  • GB/T 14139-2009 硅外延片
  • GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶
  • GB/T 12962-1996 硅单晶
  • SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量
  • GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范
  • GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片
  • GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
  • GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
  • GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
  • GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片
  • GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片
用户分享资源

YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝

Fine aluminum-1% silicon wire for semico... 上传文件 注:本列表内文件主要来源于网友们的分享上传。如您发现有不正确不合适的内容，请及时联系客服
纠错反馈
YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
提交反馈
分类列表
确定
上传文件
完全匿名 前台匿名 显示用户名 点击选择文件
{{uploadFile.name}} {{uploadFile.sizeStr}}
目前支持上传小于100MB的PDF、OCF、OCS格式文件
注:您上传文件即代表同意平台可以公开给所有用户下载。平台会根据您的选择及实际情况，为您发放相应的直接或分成奖励。平台也可以根据实际情况需要，对您上传到服务器的文件进行调整隐藏删除等，而无需通知到您。
联系客服

纸书购买链接招商中，联系客服入驻

客服QQ： 2449276725 1455033258

1098903864 1969329120

客服电话：0379-80883238

电子邮箱：ocsyun@126.com