GB/T 12963-2014

电子级多晶硅

Electronic-grade polycrystalline silicon

2014-12-31

2015-09-01

暂无

实施公告【关于批准发布《复合橡胶 通用技术规范》等107项国家标准的公告】

本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T12963—2009《硅多晶》。本标准与 GB/T12963—2009相比,主要有如下变动:
———增加引用国家标准 GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(见第2章);
———增加了多晶硅的技术参数,包括施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度的要求(见表1);
———不同等 级 多 晶 硅 的 碳 浓 度 由 atoms/cm3修订为请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。
本标准起草人:詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。

本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 1553 GB/T 1557 GB/T 1558 GB/T 4059 GB/T 4060 GB/T 4061 GB/T 13389 GB/T 14264 GB/T 24574 GB/T 24581 GB/T 24582

2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC

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