GB/T 29057-2012

用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

现行

国家标准

推荐性

2012-12-31

2013-10-01

暂无

实施公告【关于批准发布《锚链涂漆和标志》等722项国家标准和47项国家标准样品的公告】

暂无

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准修改采用国际标准SEMIMF1723-1104《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》。为方便比较,资料性附录A 中列出了本标准章条和对应的国际标准章条的对照一览表。
本标准在采用SEMIMF1723-1104时进行了修改。这些技术差异用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。主要技术差异如下:
———在“规范性引用文件”中,凡我国已有国家标准的,均用相应的国家标准代替SEMIMF1723-1104中的“引用文件”。
———增加规范性引用文件GB/T1553《硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法》。
———将6.2中“…ISO14644-1中规定的ISO5级…”改为“…GB50073中规定的5级…”。
———将7.2.1中“…ISO14644-1中规定的ISO6级…”改为“…GB50073中规定的6级…”。
———将7.3.1中“…ISO14644-1中规定的ISO6级…”改为“…GB50073中规定的6级…”。
———将7.3.1中“…1×10-6torr…”改为“…1.3×10-4Pa…”。
———将8.1中“硝酸(HNO3)———符合SEMIC352级”改为“硝酸(HNO3)———符合GB/T626优级纯”。
———将8.2中“氢氟酸(HF)———符合SEMIC282级”改为“氢氟酸(HF)———符合GB/T620优级纯”。
———将8.4中“去离子水———纯度等于或优于ASTM D5127中的E-2级”改为“去离子水———纯度等于或优于GB/T11446.1中的EW-2级”。
———将8.5中“高纯氩气———符合SEMIC3.42”改为“高纯氩气———符合GB/T4842优等品”。
———增加12.5.2.4“按照GB/T1553检测晶棒体内少数载流子寿命。”
———将12.6.1中“…根据SEMIMF1391分析碳含量…”改为“…根据GB/T1558分析碳含量…”。
———将12.6.3.3中“…按测试方法SEMIMF1391…”改为“…按测试方法GB/T1558…”。
———将13.3.5.1中“…见SEMIMF723…”改为“…见GB/T13389…”。
———将14.1中“…在SEMIMF1391中…”改为“…在GB/T1558中…”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、天威四川硅业有限责任公司。
本标准主要起草人:梁洪、刘畅、陈自强、张新、蓝志、张华端、瞿芬芬。

暂无

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GB/T 620 GB/T 626 GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 1553 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 1558 GB/T 4842 GB/T 11446.1 GB/T 13389 GB/T 14264 GB/T 24574 GB/T 24581 GB 50073

SEMI MF1723-1104 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 （修改采用 MOD）

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 四川新光硅业科技有限责任公司 天威四川硅业有限责任公司