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T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定　汞探针电容-电压法

Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method
基本信息
  • 标准号：
    T/IAWBS 003-2017
  • 名称：
    碳化硅外延层载流子浓度测定　汞探针电容-电压法
  • 英文名称：
    Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    团体标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2017-12-20
  • 实施日期：
    2017-12-31
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电气工程（29） 半导体材料（29.045） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84） 半金属与半导体材料综合（H80） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法——汞探针电容-电压法。　
    本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017 cm-3。　
    本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 14264
相关部门
  • 起草单位：
    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 全球能源互联网研究院 中国电子科技集团公司第五十五研究所 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 东莞天域半导体科技有限公司 北京天科合达半导体股份有限公司
相关人员
  • 起草人：
    冯淦 陈志霞 钮应喜 张新河 李赟 陆敏 彭同华 刘振洲
关联标准
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  • YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片
  • GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
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