收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片
300mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。
-
适用范围：
本标准规定了直径300 mm、p型、晶向、电阻率0.5Ω·cm～20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片，用于制作集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测试方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法
GB/T29504 300mm 硅单晶
GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法
SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国有色金属工业标准计量质量研究所
有研半导体材料股份有限公司
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)
相关人员
关联标准
-
YS/T 724-2016
多晶硅用硅粉
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 24577-2009
热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
-
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
-
GB/T 12963-2014
电子级多晶硅
-
GB/T 12964-2003
硅单晶抛光片
-
YS/T 223-1996
硒
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
GB/T 16596-2019
确定晶片坐标系规范
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
-
GB 12694-1990
肉类加工厂卫生规范
-
GB 12964-1991
硅单晶抛光片
-
GB/T 25076-2010
太阳电池用硅单晶
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
打开设置，点击
执行注册
