GB/T 29508-2013

300mm 硅单晶切割片和磨削片

300mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices

2013-05-09

2014-02-01

暂无

实施公告【关于批准发布《钼化学分析方法　第1部分：铅量的测定石墨炉原子吸收光谱法》等47项国家标准的公告】

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。

本标准规定了直径300 mm、p型、晶向、电阻率0.5Ω·cm～20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片，用于制作集成电路IC用线宽90　nm技术需求的衬底片。

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中国有色金属工业标准计量质量研究所 有研半导体材料股份有限公司

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)