收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF13910704《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》。
本标准与SEMIMF13910704的主要差异如下:
---本标准在结构上主要依照我国国标编制格式,与SEMIMF13910704有所不同;
---本标准未引用偏差、关键词两章内容。
本标准代替GB/T1558-1997《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》。
本标准与原标准相比主要有以下变化:
---对测量的碳原子含量有效范围进行了修改,室温下从硅中代位碳原子含量5×1015at·cm-3(0.1ppma)到碳原子的最大溶解度,77K 时检测下限为5×1014at·cm-3(0.01ppma);
---补充了术语、干扰因素报告三章;
---在操作步骤中增加了仪器检查内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、段曙光、梁洪。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T1558-1979、GB/T1558-1997。
-
适用范围：
暂无
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
信息产业部专用材料质量监督检验中心
峨嵋半导体材料厂
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
关联标准
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
GB/T 25076-2018
太阳能电池用硅单晶
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
-
GB/T 29849-2013
光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
GB/T 30652-2014
硅外延用三氯氢硅
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
-
GB/T 26071-2018
太阳能电池用硅单晶片
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 13387-2009
硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
-
GB/T 25074-2017e
太阳能级多晶硅
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
GB/T 26065-2010
硅单晶抛光试验片规范
打开设置，点击
执行注册
