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GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 37051-2018
  • 名称：
    太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
  • 英文名称：
    Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2018-12-28
  • 实施日期：
    2019-04-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《农产品基本信息描述 谷物类》等国家标准和国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电气工程（29） 半导体材料（29.045） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84） 半金属与半导体材料综合（H80） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
    本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 6379.2-2004 GB/T 25915.1-2010 GB/T 29054 GB/T 29055
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 镇江仁德新能源科技有限公司 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 英利集团有限公司 泰州中来光电科技有限公司 晋能清洁能源科技有限公司 天津英利新能源有限公司
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
相关人员
暂无
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