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GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底
GaP substrates for LED epitaxial chips
基本信息
分类信息
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ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准主要起草单位:中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司。
本标准主要起草人:赵有文、提刘旺、林泉、惠峰、赵坚强。
-
适用范围：
本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。
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引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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