GB/T 30855-2014

LED外延芯片用磷化镓衬底

GaP substrates for LED epitaxial chips

2014-07-24

2015-04-01

暂无

实施公告【关于批准发布《电气绝缘用漆 第6部分：环保型水性浸渍漆》等123项国家标准的公告】

本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准主要起草单位:中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司。
本标准主要起草人:赵有文、提刘旺、林泉、惠峰、赵坚强。

本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T191 包装储运图示标志
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6621 硅片表面平整度测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
GJB3076—1997 磷化镓单晶片规范

GB/T 191 GB/T 1555 GB/T 2828.1 GB/T 4326 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 14844 GJB 3076-1997

2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 材料分技术委员会(SAC/TC

中国科学院半导体研究所 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 有研光电新材料有限公司