YS/T 985-2014

硅抛光回收片

Polished reclaimed silicon wafers

现行

行业标准

推荐性

2014-10-14

2015-04-01

暂无

实施公告【2014年第12号(总第180号)】

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准修改采用SEMIM38-0307《硅抛光回收片规范》,本标准与SEMIM38-0307相比存在技术性差异,这些差异涉及的条款已通过在其外侧页边空白位置的垂直单线(|)进行了标识。内容与SEMIM38-0307的主要差别在于:
———仅采用了SEMIM38-0307中关于100mm、125mm、150mm 和200mm 硅抛光回收片的内容,删除了原标准中关于50.8mm、76.2mm 和300mm 直径的硅抛光回收片内容(包括附录1和附录2)。
———将SEMIM38-0307中表1和表2中关于100mm、125mm、150mm 和200mm 硅抛光回收片的规范合并,形成本标准中的表1。
———根据我国标准编写的习惯进行排版,并将技术要求表格提前。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准负责起草单位:浙江金瑞泓科技股份有限公司。
本标准参加起草单位:有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人:何良恩、刘丹、许峰、张海英、孙燕、曹孜、王飞尧、楼春兰、徐新华。

本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片(主要包括100 mm、125 mm、150 mm和200 mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片)经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
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GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
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GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T19922 硅抛光片局部平整度非接触式检测方法
GB/T24575 硅和硅外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱测试方法

SEMI M38-0307 《硅抛光回收片规范》 （修改采用 MOD）

浙江金瑞泓科技股份有限公司等