收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
Semiconductor materials-terms and definitions
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准代替GB/T14264-1993《半导体材料术语》。
本标准与GB/T14264-1993相比,有以下变化:
---增加了218项术语;
---增加了三个资料性附录:包括61项硅技术术语缩写、11项符号和标准术语出处;
---修改了原标准中86项术语内容。
本标准的附录A 和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位:中国有色金属工业标准计量质量研究所、有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司和国瑞电子材料有限责任公司。
本标准参加起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司、峨眉半导体材料厂、宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、南京锗厂有限责任公司、万向硅峰电子股份有限公司、云南东兴集团、西安骊晶电子技术有限公司、中科院半导体所、上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、黄笑容、向磊、翟富义、卢立延、郑琪、邓志杰、贺东江。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T14264-1993。
-
适用范围:
本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。
本标准适用于元素和化合物半导体材料。
-
引用标准:
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
ASTM F1241 硅技术术语
SEMIM59 硅技术术语
相关标准
-
代替标准:
GB/T 14264-1993
-
引用标准:
ASTM F1241
SEMI M59
相关部门
-
起草单位:
中国有色金属工业标准计量质量研究所
杭州海纳半导体有限公司
有研半导体材料股份有限公司
国瑞电子材料有限责任公司
-
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
关联标准
-
YS/T 1510-2021
高纯锗粉
-
YS/T 13-2015
高纯四氯化锗
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
-
GB/T 31092-2014
蓝宝石单晶晶锭
-
YS/T 978-2014
单晶炉碳/碳复合材料导流筒
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
-
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
DB65/T 3486-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 25075-2010
太阳能电池用砷化镓单晶
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范