收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
Test method for measuring Phosphorus, Arsenic and Antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry基本信息
- 标准号:GB/T 29852-2013
- 名称:光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- 英文名称:Test method for measuring Phosphorus, Arsenic and Antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2013-11-12
- 实施日期:2014-04-15
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:马农农、何友琴、王东雪、何秀坤、冯亚彬、裴会川、张雪囡。 - 适用范围:本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析,其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。 - 引用标准:暂无
相关标准
暂无
相关部门
- 起草单位:中国电子技术标准化研究院 天津市环欧半导体材料技术有限公司 信息产业专用材料质量监督检验中心 国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心
- 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
- 主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
相关人员
暂无
关联标准
- GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱
- GB/T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片
- GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- GB 12965-1991 硅单晶切割片和研磨片
- GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
- GB/T 35307-2017 流化床法颗粒硅
- GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
- GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
- GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
- SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
- SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法
- GB/T 34479-2017 硅片字母数字标志规范
- GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
- YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
- DB65/T 3485-2013 新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
- T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
- GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
- GB/T 32573-2016 硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
- GB/T 31854-2015 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 25074-2017e 太阳能级多晶硅