收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片
Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK 太阳能有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
本标准主要起草人:楼春兰、郑辉、蒋建国、张群社、孙世龙、黄笑容、王飞尧、段育红、朱兴萍、方强、汪贵发、余俊军、袁文强、金虹。
-
适用范围:
本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。
本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T25076 太阳电池用硅单晶
GB/T26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
主管部门:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位:
洛阳鸿泰半导体有限公司
无锡尚德太阳能电力有限公司
杭州海纳半导体有限公司
万向硅峰电子股份有限公司
西安隆基硅材料股份有限公司
上海九晶电子材料股份有限公司
江西赛维LDK太阳能有限公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
YS/T 543-2015
半导体键合用铝-1%硅细丝
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
GB/T 12965-1996
硅单晶切割片和研磨片
-
YS/T 988-2014
羧乙基锗倍半氧化物
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
GB/T 30652-2014
硅外延用三氯氢硅
-
GB/T 20230-2006
磷化铟单晶
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法