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GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
Test method for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy基本信息
- 标准号:GB/T 19199-2015
- 名称:半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- 英文名称:Test method for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2015-12-10
- 实施日期:2016-07-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T19199—2003《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》。
本标准与 GB/T19199—2003相比,主要有以下变化:
———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”4章;
———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107Ω·cm 修改为大于106Ω·cm;
———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
———去除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法;
———室温差示法测量时,将“仪器分辨率为0.5cm-1或1cm-1”,修改为“仪器分辨率1cm-1”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
本标准起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T19199—2003。 - 适用范围:本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围:室温下从1.0×1015 atoms/cm3到代位碳原子的最大溶解度,77 K时检测下限为4.0×1014 atoms/cm3。
- 引用标准:下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
- 代替标准:GB/T 19199-2003
- 引用标准:GB/T 14264
相关部门
- 归口单位:2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
- 主管部门:国家标准化管理委员会
- 起草单位:天津市环欧半导体材料技术有限公司 信息产业专用材料质量监督检验中心 中国电子材料行业协会
相关人员
暂无
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