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GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。
-
适用范围：
本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
GB50073 洁净厂房设计规范
相关标准
-
引用标准：
GB/T 14264
GB 50073
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
-
起草单位：
中国科学院物理研究所
北京天科合达蓝光半导体有限公司
相关人员
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