收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。
-
适用范围：
本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语
GB50073 洁净厂房设计规范
相关标准
-
引用标准：
GB/T 14264
GB 50073
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
-
起草单位：
中国科学院物理研究所
北京天科合达蓝光半导体有限公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 25897-2020
剩余电阻比测量 铌-钛（Nb-Ti）和铌三锡（Nb3Sn）复合超导体剩余电阻比测量
-
YS/T 535.4-2009
氟化钠化学分析方法 第4部分：铁含量的测定 邻二氮杂菲分光光度法
-
SH/T 3554-2013
石油化工钢制管道焊接热处理规范
-
GB/T 4193-1984
电真空器件及电光源用细钨丝、钼丝和薄带密度的测试方法
-
YS/T 738.4-2010
填料用氢氧化铝分析方法 第4部分：粘度的测定
-
GB/T 14140.2-1993
硅片直径测量方法 千分尺法
-
YB/T 136-1998
镀锡钢板（带）表面油和铬的试验方法
-
YS/T 455.8-2007
铝箔试验方法 第8部分：铝箔立方织构含量的测定方法
-
YS/T 335-1994
电真空器件用无氧铜含氧量金相检验法
-
GB/T 11108-1989
硬质合金热扩散率的测定方法
-
GB/T 32189-2015
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
-
GB/T 1424-1996
贵金属及其合金材料电阻系数测试方法
-
GB/T 6147-2005
精密电阻合金热电动势率 测试方法
-
GB/T 31353-2014
蓝宝石衬底片弯曲度测试方法
-
GB/T 2105-1991
金属材料杨氏模量、切变模量及泊松比测量方法 (动力学法)
-
YS/T 864-2013
铜及铜合金板带箔材表面清洁度检验方法
-
GB/T 30653-2014
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
-
GB/T 12967.4-1991
铝及铝合金阳极氧化 着色阳极氧化膜耐紫外光性能的测定
-
YS/T 581.13-2006
氟化铝化学分析方法和物理性能测定方法 第13部分：安息角的测定
-
YS/T 629.3-2007
高纯氧化铝化学分析方法 氧化钠含量的测定 火焰原子吸收光谱法
打开设置，点击
执行注册
