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GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法

Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 32278-2015
  • 名称：
    碳化硅单晶片平整度测试方法
  • 英文名称：
    Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2015-12-10
  • 实施日期：
    2017-01-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《内六角平圆头螺钉》等296项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
    本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。
  • 适用范围：
    本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB50073 洁净厂房设计规范
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 14264 GB 50073
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
  • 起草单位：
    中国科学院物理研究所 北京天科合达蓝光半导体有限公司
相关人员
暂无
关联标准