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GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 1551-1995
  • 名称：
    硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
  • 英文名称：
    Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe
  • 状态：
    废止
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    1995-04-18
  • 实施日期：
    1995-12-01
  • 废止日期：
    2010-06-01
  • 相关公告：
    暂无
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    暂无
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB 1551-1979 GB 5253-1985
  • 引用标准：
    GB 1550 GB/T 1552 GB 5256
  • 采用标准：
    ASTM F397:1988 （非等效采用 NEQ）
相关部门
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 起草单位：
    上海有色金属工业总公司
相关人员
暂无
关联标准