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GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 4326-2006
  • 名称：
    非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
  • 英文名称：
    Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2006-07-18
  • 实施日期：
    2006-11-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。
    本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达 104　Ω·cm 半导体单晶材料的测试。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 4326-1984
相关部门
  • 提出部门：
    中国有色金属工业协会
  • 主管部门：
    中国有色金属工业协会
  • 起草单位：
    北京有色金属研究总院
  • 归口单位：
    全国有色金属标准化技术委员会
相关人员
暂无
关联标准