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规范标准

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当前选择： CCS分类 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84） 半金属与半导体材料综合（H80）
  • 标准号
  • 名称
  • 状态
  • 类型
  • 性质
  • 实施日期
  • GB/T 24576-2009
    高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24575-2009
    硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24574-2009
    硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14264-2009
    半导体材料术语
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14146-2009
    硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14144-2009
    硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14141-2009
    硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14139-2009
    硅外延片
    废止
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 13388-2009
    硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 13387-2009
    硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6624-2009
    硅抛光片表面质量目测检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6619-2009
    硅片弯曲度测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6618-2009
    硅片厚度和总厚度变化测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6617-2009
    硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6616-2009
    半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 4058-2009
    硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 4061-2009
    硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1558-2009
    硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1555-2009
    半导体单晶晶向测定方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1554-2009
    硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
共 67 条