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SJ 20062-1992 半导体分立器件 3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of Type 3DG210基本信息
- 标准号:SJ 20062-1992
- 名称:半导体分立器件 3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范
- 英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of Type 3DG210
- 状态:现行
- 类型:暂无
- 性质:强制性
- 发布日期:1992-11-19
- 实施日期:1993-05-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:暂无
分类信息
- ICS分类:暂无
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:本规范规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差对晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
- 引用标准:GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
相关标准
暂无
相关部门
- 归口单位:中国电子技术标准化研究所
- 提出部门:中国电子工业总公司科技质量局
- 起草单位:中国电子技术标准化研究所和国营八七一厂
相关人员
- 起草人:王长福 黄世杰 李红
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