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SJ 20056-1992 半导体分立器件 ３ＤＫ１０３型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK103
基本信息
  • 标准号：
    SJ 20056-1992
  • 名称：
    半导体分立器件 ３ＤＫ１０３型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
  • 英文名称：
    Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK103
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    强制性
  • 发布日期：
    1992-11-19
  • 实施日期：
    1993-05-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本规范规定了3DK1O3型NPN硅小功率开关品障管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
  • 引用标准：
    GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
    GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
    GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
    GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位：
    中国电子技术标准化研究所
  • 提出部门：
    中国电子工业总公司科技质量局
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
相关人员
  • 起草人：
    王长福 王承琳 谢佩兰
关联标准