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规范标准

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当前选择： CCS分类 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84）
  • 半金属与半导体材料综合（H80）
  • 半金属（H81）
  • 元素半导体材料（H82）
  • 化合物半导体材料（H83）
  • 标准号
  • 名称
  • 状态
  • 类型
  • 性质
  • 实施日期
  • GB/T 14141-2009
    硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14140-2009
    硅片直径测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14139-2009
    硅外延片
    废止
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 13388-2009
    硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 13387-2009
    硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 12963-2009
    硅多晶
    废止
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 11072-2009
    锑化铟多晶、单晶及切割片
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6620-2009
    硅片翘曲度非接触式测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6624-2009
    硅抛光片表面质量目测检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6619-2009
    硅片弯曲度测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6618-2009
    硅片厚度和总厚度变化测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6617-2009
    硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 6616-2009
    半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 4058-2009
    硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 4061-2009
    硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1558-2009
    硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1555-2009
    半导体单晶晶向测定方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1554-2009
    硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1553-2009
    硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 1551-2009
    硅单晶电阻率测定方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
共 221 条