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当前选择： CCS分类 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84）
  • 半金属与半导体材料综合（H80）
  • 半金属（H81）
  • 元素半导体材料（H82）
  • 化合物半导体材料（H83）
  • 标准号
  • 名称
  • 状态
  • 类型
  • 性质
  • 实施日期
  • GB/T 26066-2010
    硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2011-10-01
  • GB/T 14847-2010
    重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2011-10-01
  • DB35/T 1146-2011
    福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
    现行
    地方标准
    推荐性
    2011-07-10
  • GB/T 25076-2010
    太阳电池用硅单晶
    废止
    国家标准
    推荐性
    2011-04-01
  • GB/T 25074-2010
    太阳能级多晶硅
    废止
    国家标准
    推荐性
    2011-04-01
  • GB/T 25075-2010
    太阳能电池用砷化镓单晶
    现行
    国家标准
    推荐性
    2011-04-01
  • GB/T 6621-2009
    硅片表面平整度测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • YS/T 724-2009
    硅粉
    被代替
    行业标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24582-2009
    酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24581-2009
    低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24580-2009
    重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24579-2009
    酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24578-2009
    硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
    废止
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24577-2009
    热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24576-2009
    高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24575-2009
    硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 24574-2009
    硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14264-2009
    半导体材料术语
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14146-2009
    硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
  • GB/T 14144-2009
    硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
    现行
    国家标准
    推荐性
    2010-06-01
共 221 条