• 当前位置：
    首页 规范标准 ICS分类

规范标准

Standard Resource
当前选择： ICS分类 电子学（31） 半导体分立器件（31.080）
  • 半导体分立器件综合（31.080.01）
  • 二极管（31.080.10）
  • 晶体闸流管（31.080.20）
  • 三极管（31.080.30）
  • 其他半导体分立器件（31.080.99）
  • 标准号
  • 名称
  • 状态
  • 类型
  • 性质
  • 实施日期
  • SJ/T 11586-2016
    半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-06-01
  • SJ/T 2658.13-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.12-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.11-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.9-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.10-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.7-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.8-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.6-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.5-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.4-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.3-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.1-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2658.2-2015
    半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压
    现行
    行业标准
    推荐性
    2016-04-01
  • SJ/T 2216-2015
    硅光电二极管技术规范
    现行
    行业标准
    推荐性
    2015-10-01
  • SJ/T 2215-2015
    半导体光电耦合器测试方法
    现行
    行业标准
    推荐性
    2015-10-01
  • SJ/T 11486-2015
    小功率LED芯片技术规范
    现行
    行业标准
    推荐性
    2015-10-01
  • SJ/T 2214-2015
    半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
    现行
    行业标准
    推荐性
    2015-10-01
  • JB/T 11623-2013
    平面厚膜半导体气敏元件
    现行
    行业标准
    推荐性
    2014-07-01
  • DB52/T 861-2013
    贵州省2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范
    废止
    地方标准
    推荐性
    2014-02-01
共 169 条