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SJ 50033.53-1994 半导体分立器件 ＣＳ０５３０、ＣＳ０５３１型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave power field effect transistor
基本信息
  • 标准号：
    SJ 50033.53-1994
  • 名称：
    半导体分立器件 ＣＳ０５３０、ＣＳ０５３１型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
  • 英文名称：
    Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave power field effect transistor
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    强制性
  • 发布日期：
    1994-09-30
  • 实施日期：
    1994-12-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本规范规定了ＣＳ０５３０、ＣＳ０５３１型砷化镓（以下简称器件）的详细要求。
    本规范适用于器件的研制、生产和采购。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位：
    中国电子技术标准化研究所
  • 起草单位：
    电子工业部第五十五研究所
相关人员
  • 起草人：
    黄玉英 李祖华 王长福
关联标准