GB/T 10117-2009

高纯锑

High purity antimonium

现行

国家标准

推荐性

2009-10-30

2010-06-01

暂无

实施公告【】
修订公告【关于批准发布《全息位置地图数据内容》等530项推荐性国家标准和2项国家标准修改单的公告】

暂无

本标准代替GB/T10117-1988《高纯锑》。
本标准与GB/T10117-1988相比,主要有如下变动:
---增加了规范性引用文件;
---化学成分增加杂质总量含量一栏,并对杂质的含量做了一些调整,主要是金、镉、铅的技术参数;
---在检验规则中增加每批产品的重量一般应不大于100kg;
---在产品交付中增加外用塑料薄膜密封;
---将原标准中产品的化学成分的分析方法按供方现行方法进行;仲裁分析按供需双方认可的方法进行改为产品的化学成分分析按YS/T35.1~35.4高纯锑化学分析方法进行;
---对原标准中在收到产品之日起三个月内向供方提出中三个月的时间做了修改;
---将原标准中化学成分检验不合格时,应取双倍数量的试样进行复验。如其中有一个试样结果仍不符合本标准的要求,则判定该批产品为不合格品。改为化学成分检验不合格时,则判定该批产品为不合格品。。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:王炎、蒋蓉。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T10117-1988。

本标准规定了高纯锑的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和订货单（或合同）内容等。
本标准适用于以工业锑为原料，经氯化、精馏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.999 9%的高纯锑。产品用于制备ⅢⅤ族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。

暂无

GB/T 10117-1988

YS/T 35(所有部分)

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

峨嵋半导体材料厂