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GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。
本标准主要起草人:刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科。
-
适用范围：
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。
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引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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相关标准
相关部门
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归口单位：
203)
(SAC/TC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
203/SC2)
-
起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
苏州纳维科技有限公司
-
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
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主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC2
相关人员
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