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GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 32189-2015
  • 名称：
    氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
  • 英文名称：
    Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2015-12-10
  • 实施日期：
    2016-11-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《内六角平圆头螺钉》等296项国家标准的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。
    本标准主要起草人:刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科。
  • 适用范围：
     本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。
  • 引用标准：
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T3505 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T27760 利用Si(111)晶面原子台阶对原子力显微镜亚纳米高度测量进行校准的方法
    JJF1351 扫描探针显微镜校准规范
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 3505 GB/T 14264 GB/T 27760 JJF 1351
相关部门
  • 归口单位：
    203) (SAC/TC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 203/SC2)
  • 起草单位：
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州纳维科技有限公司
  • 提出部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC2
相关人员
暂无
关联标准