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GB/T 41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环

Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 41652-2022
  • 名称:
    刻蚀机用硅电极及硅环
  • 英文名称:
    Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine
  • 状态:
    即将实施
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2022-07-11
  • 实施日期:
    2023-02-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《塑料 聚丙烯(PP)模塑和挤出材料 第1部分:命名系统和分类基础》等310项推荐性国家标准和5项国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    电气工程(29) 半导体材料(29.045)
  • CCS分类:
    暂无
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    暂无
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 起草单位:
    浙江海纳半导体有限公司 有研半导体硅材料股份公司 山东有研半导体材料有限公司 新美光(苏州)半导体科技有限公司
  • 归口单位:
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
  • 起草人:
    潘金平 孙燕 闫志瑞 张果虎 库黎明 夏秋良
关联标准
  • GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
  • GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片
  • GB/T 12964-1996 硅单晶抛光片
  • GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
  • GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
  • GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
  • GB/T 20230-2022 磷化铟单晶
  • YS 68-2004
  • GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
  • YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯
  • GB/T 35310-2017 200mm硅外延片
  • T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
  • SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
  • SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
  • GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
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  • T/IAWBS 001-2017 碳化硅单晶
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