收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS 68-2004
砷
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
GB/T 25076-2010
太阳电池用硅单晶
-
GB/T 12962-2005
硅单晶
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
-
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
-
GB/T 16596-1996
确定晶片坐标系规范
-
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
-
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
YS/T 14-1991
导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 1555-1997
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范