收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit基本信息
- 标准号:GB/T 41325-2022
- 名称:集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
- 英文名称:Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
- 状态:即将实施
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2022-03-09
- 实施日期:2022-10-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:暂无
- 引用标准:暂无
相关标准
暂无
相关部门
- 起草单位:有色金属技术经济研究院有限责任公司 有色金属技术经济研究院有限责任公司 南京国盛电子有限公司 浙江金瑞泓科技股份有限公司 浙江海纳半导体有限公司 有研半导体硅材料股份公司 山东有研半导体材料有限公司 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 中环领先半导体材料有限公司
- 主管部门:国家标准化管理委员会
- 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
暂无
关联标准
- GB/T 12962-2005 硅单晶
- GB/T 8756-2018 锗晶体缺陷图谱
- GB/T 20230-2006 磷化铟单晶
- GB/T 32279-2015 硅片订货单格式输入规范
- YS/T 223-1996 硒
- GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
- GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
- GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
- GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
- YS/T 982-2014 氢化炉碳/碳复合材料U形发热体
- SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
- GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 14139-2019 硅外延片
- GB/T 14264-2009 半导体材料术语
- GB/T 11070-2006 还原锗锭
- GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
- GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭
- YS/T 28-2015 硅片包装
- GB/T 11069-2006 高纯二氧化锗
- YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉