收藏到云盘
纠错反馈

GB/T 20230-2022 磷化铟单晶

Indium phosphide single crystal
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 20230-2022
  • 名称:
    磷化铟单晶
  • 英文名称:
    Indium phosphide single crystal
  • 状态:
    即将实施
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2022-03-09
  • 实施日期:
    2022-10-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《高标准农田建设 通则》等357项推荐性国家标准和4项国家标准修改单的公告】
    • 阅读或下载 使用APP、PC客户端等功能更强大
    • 网页在线阅读 体验阅读、搜索等基本功能
    • 用户分享资源 来自网友们上传分享的文件
    • 纸书购买 平台官方及网友推荐
分类信息
  • ICS分类:
    电气工程(29) 半导体材料(29.045)
  • CCS分类:
    冶金(H) 半金属与半导体材料(H80/84) 化合物半导体材料(H83)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    暂无
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 代替标准:
    GB/T 20230-2006
相关部门
  • 起草单位:
    有色金属技术经济研究院有限责任公司 有色金属技术经济研究院有限责任公司 中国电子科技集团公司第十三研究所 有研国晶辉新材料有限公司 云南鑫耀半导体材料有限公司 广东先导微电子科技有限公司
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位:
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
暂无
关联标准
  • SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
  • YS/T 989-2014 锗粒
  • T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
  • GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片
  • GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
  • GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
  • GB/T 40566-2021 流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
  • YS/T 43-2011 高纯砷
  • SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
  • GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
  • YS/T 224-1994
  • YS/T 223-1996
  • YS/T 28-2015 硅片包装
  • GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶
  • GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
  • SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
  • GB/T 25074-2017e 太阳能级多晶硅
  • SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
  • GB/T 34479-2017 硅片字母数字标志规范
  • GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
用户分享资源

GB/T 20230-2022 磷化铟单晶

Indium phosphide single crystal
上传文件
注:本列表内文件主要来源于网友们的分享上传。如您发现有不正确不合适的内容,请及时联系客服
纠错反馈
GB/T 20230-2022 磷化铟单晶
提交反馈
分类列表
确定
上传文件
完全匿名 前台匿名 显示用户名 点击选择文件
{{uploadFile.name}} {{uploadFile.sizeStr}}
目前支持上传小于100MB的PDF、OCF、OCS格式文件
注:您上传文件即代表同意平台可以公开给所有用户下载。平台会根据您的选择及实际情况,为您发放相应的直接或分成奖励。平台也可以根据实际情况需要,对您上传到服务器的文件进行调整隐藏删除等,而无需通知到您。
联系客服

纸书购买链接招商中,联系客服入驻

客服QQ: 2449276725 1455033258

1098903864 1969329120

客服电话:0379-80883238

电子邮箱:ocsyun@126.com