收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范 (可供认证用)
Semiconductor devices--Generic specification for discrete devices and integrated circuits
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
半导体分立器件（31.080）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
半导体分立器件（L40/49）
半导体分立器件综合（L40）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会
-
主管部门：
信息产业部（电子）
-
起草单位：
机电部五十五所
相关人员
关联标准
-
SJ/T 2658.13-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数
-
SJ/T 2658.5-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
-
GB/T 4937.13-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾
-
GB 12560-1990
半导体器件 分立器件分规范 (可供认证用)
-
SJ 1606-1980
硅双基极管峰点电流的测试方法
-
GB/T 4937.12-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动
-
GB/T 8446.1-2004
电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列
-
GB/T 8446.2-1987
电力半导体器件用散热器热阻和流阻测试方法
-
DB53/T 495-2013
云南省高原型高压变频装置
-
GB/T 4589.1-2006
半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范
-
GB/T 17573-1998
半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则
-
SJ/T 2658.12-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽
-
SJ 1603-1980
硅双基极二极管基极间电阻的测试方法
-
GB/T 15879.4-2019
半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系
-
GB/T 4937.18-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐照(总剂量)
-
GB/T 12560-1999
半导体器件 分立器件分规范
-
GB 12300-1990
功率晶体管安全工作区测试方法
-
GB/T 22181.21-2008
等离子体显示器件 第2-1部分：光学参数测量方法
-
SJ 50033/154-2002
半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范
-
GB/T 20522-2006
半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器
打开设置，点击
执行注册
