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GB 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals
基本信息
  • 标准号:
    GB 11297.7-1989
  • 名称:
    锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
  • 英文名称:
    Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    暂无
  • 性质:
    强制性
  • 发布日期:
    1988-10-09
  • 实施日期:
    1990-01-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    暂无
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分类信息
  • ICS分类:
    暂无
  • CCS分类:
    电子元器件与信息技术(L) 电子设备与专用材料、零件、结构件(L90/94) 电子技术专用材料(L90)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本方法适用于长方体和薄片锑化甸单晶样品的电阻率和堆耳系数的测量。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位:
    全国半导体材料和设备标准化技术委员会
  • 起草单位:
    航天工业部8358研究所和机械电子工业部第十一研究所
相关人员
  • 起草人:
    徐向东 尹洁
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