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GB 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
电子设备与专用材料、零件、结构件（L90/94）
电子技术专用材料（L90）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
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主管部门：
国家标准化管理委员会
-
归口单位：
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
-
起草单位：
机械电子工业部第十一研究所
相关人员
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