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GB 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
基本信息
  • 标准号：
    GB 11297.6-1989
  • 名称：
    锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
  • 英文名称：
    Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    强制性
  • 发布日期：
    1988-10-09
  • 实施日期：
    1990-01-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    在晶体中，由于缺陷处的势能较高，在缺陷处的腐蚀速率较大，在适当的腐蚀剂中，当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时，在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕，在金相显微镜下可以观测多种缺陷。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位：
    全国半导体材料和设备标准化技术委员会
  • 起草单位：
    机械电子工业部第十一研究所
相关人员
  • 起草人：
    李文华
关联标准