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SJ 20016-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范

Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
基本信息
  • 标准号:
    SJ 20016-1992
  • 名称:
    半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
  • 英文名称:
    Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    暂无
  • 性质:
    强制性
  • 发布日期:
    1992-02-01
  • 实施日期:
    1992-05-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    暂无
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分类信息
  • ICS分类:
    暂无
  • CCS分类:
    综合(A) 标准化管理与一般规定(A00/09) 技术管理(A01)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
  • 引用标准:
    GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
    GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
    GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
    GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位:
    中国电子技术标准化研究所
  • 提出部门:
    中国电子工业总公司科技质量局
  • 起草单位:
    中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂
相关人员
  • 起草人:
    王长福 龚云 葛毅妮
关联标准
  • GB/T 22154-2008E 国际货运代理服务质量要求(英文版)
  • SJ/T 10424-1993 半导体器件用钝化封装玻璃粉
  • SJ 20032-1992 空气介质管状(活塞型)微调可变电容器总规范
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