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SJ 20016-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
基本信息
-
标准号：
SJ 20016-1992
-
名称：
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
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英文名称：
Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
-
状态：
现行
-
类型：
暂无
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性质：
强制性
-
发布日期：
1992-02-01
-
实施日期：
1992-05-01
-
废止日期：
暂无
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相关公告：
暂无
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分类信息
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ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
综合（A）
标准化管理与一般规定（A00/09）
技术管理（A01）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位：
中国电子技术标准化研究所
-
提出部门：
中国电子工业总公司科技质量局
-
起草单位：
中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂
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